Server offline

== 1980 ==

207 *,C, 01/18/99
Lifshits V.G., Gavriljuk Y.L.
Electron energy states of carbon in Auger energy loss and
X-ray spactroscopies
Solid State Commun., 1980, V.36, N, P.155-158

== 1981 ==

210 *,Au,111, 01/18/99
Lifshits V.G., Akilov V.B., Gavriljuk Y.L.
Interaction of thin gold films with silicon
Solid State Commun., 1981, V.40, N, P.429-432

15 *,Si,111,100, 11/20/92
Гаврилюк Ю.Л., Кагановсий Ю.С., Лифшиц В.Г.
Диффузионный пеpенос массы на повеpхностях (111) и (100)
монокpисталлов кpемния
Кpисталлогpафия, 1981, V.26, N3, P.561-570

209 *,Fe,Co, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Ветер В.В., Акилов В.Б.
Намагниченность поликристаллических железо-кобальтовых пленок,
подвергнутых рентгеновскому облучению
Металлофизика, 1981, V.3, N6, P.127-129

208 *,Fe,Co, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Воробьев Ю.Д., Ерехинский Н.И.,
Ветер В.В., Акилов В.Б.
Изменение магнитных характеристик железо-кобальтовых пленок,
легированных хромом при облучении электронами
ФММ, 1981, V.52, N4, P.-

135 *,Sb, 12/15/98
Старос Ф.Г., Заводинский В.Г., Коробцов В.В., Воронов А.В.,
Андреев М.Г., Зотов А.В.
Влияние электронного облучения на структуру пленок сурьмы
Физ.Хим.Обраб.Матер., 1981, V., N5, P.147-148

== 1982 ==
136 *,Si,111 12/15/98
Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
Epitaxial regrowth of amorphous Si deposited on Si(111)
Phys.Stat.Sol.(a), 1982, V.72, N, P.391-398

30 *,C,O,double, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Саранин А.А.
Электронно-стимулированная адсорбция молекул СО на поверхности
Si(111)$7\times7$
Украинский физический журнал, 1982, V.27, N8, P.1213-1216

== 1983 ==

138 *,Si, 12/15/98
Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
LEED analysis of solid phase epitaxy of Si
Surf.Sci., 1983, V.130, N, P.L325-L328

162 *,Li, 12/23/98
Лифшиц В.Г., Назаров В.Ю., Акилов В.Б.
Смещение электронных уровней в литии при ионизации как
самостоятельная причина вторичной эмиссии
Ж.Прикл.Спектроск., 1983, V.39, N3, P.491-493

139 *,Si,100, 12/17/98
Заводинский В.Г., Зотов А.В., Коробцов В.В.
Твердофазная эпитаксия аморфных пленок Si, напыленных на
Si(100)
Поверхность, 1983, V., N10, P.129-133

16 Au,111, 11/20/92
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г.
Влияние поверхностных фаз на диффузию золота на кремнии
Поверхность, 1983, V., N4, P.82-89

137 *,Cr,111, 12/15/98
Лифшиц В.Г., Заводинский В.Г., Плюснин Н.И.
Формирование поверхностных фаз хрома и эпитаксия CrSi$_2$ на
Si(111)
Поверхность, 1983, V., N3, P.82-89

211 Fe?, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Нагинов В.А., Воробьев Ю.Д.,
Ветер В.В.
Магнитные характеристики пленок, облученных электронами
ФТТ, 1983, V.24, N9, P.2636-2640
== 1984 ==


17 Au,111, 11/20/92
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G.
Influence of surface phases on diffusion of gold on silicon
Phys.Chem.Mech.Surf., 1984, V.2, N, P.1091-

140 *,Si, 12/17/98
Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
Solid phase epitaxial growth anisotropy of vacuum-deposited
amorphous silicon
Phys.Stat.Sol.(a), 1984, V.82, N, P.345-353

32 *,N, 03/23/98
Lifshits V.G., Saranin A.A.
Electron irradiation effect on the surface composition of Ar$^+$
ion bombarded Si-nitride and Si-oxinitride
Solid State Commun., 1984, V.50, N10, P.925-928

141 *,Si, 12/17/98
Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zavodinsky V.G.,
Zotov A.V.
The influence of the structure of amorphous silicon deposited in
ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate
Thin Solid Films, 1984, V.117, N, P.101-106

33 *,N, 03/23/98
Лифшиц В.Г., Котляр В.Г., Саранин А.А.
Формирование пленок нитрида кремния при имплантации ионов азота
в Si(111) по данным ЭОС и спектроскопии ХПЭ
Поверхность, 1984, V., N12, P.76-84

4 *,111,Cr, 11/20/92
Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И.
Электронное взаимодействие и силиицидообразование в системе
Cr-(111)Si на начальной стадии роста
Поверхность, 1984, V., N9, P.78-85

150 *,?, 12/17/98
Плюснин Н.И., Лобачев С.А., Галкин Н.Г.
Стабилизированные источники напряжения для анализатора ДМЭ
Приборы и техника эксперимента, 1984, V., N5, P.57-61

== 1985 ==


7 *,In,111, 11/20/92
Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L.,
Zavodinsky V.G.
The formation of In-Si surface phase
Solid State Commun., 1985, V.55, N8, P.717-720

212 *,Rev, 01/18/99
Лифшиц В.Г.
Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности
кремния
М.: Наука, 1985, V., N, P.200-

213 *,Cr,100, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Воронов А.В., Заводинский В.Г.
Формирование тонких пленок силицида хрома на нагретой подложке
кремния (100)
Физ.Хим.Обраб.Матер., 1985, V., N3, P.111-115

== 1986 ==


163 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical inversion of dielectric matrix of electron gas with
one-dimensional inhomogeneity
Solid State Commun., 1986, V.60, N2, P.115-117

36 *,O, 03/24/98
Lifshits V.G., Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Saranin A.A.,
Zotov A.V.
Thermal annealing behavior of Si/SiO$_2$ structures
Thin Solid Films, 1986, V.135, N, P.99-105

34 O,100, 12/28/94
Саранин А.А., Лифшиц В.Г.
Изучение тонких окислов кремния методом электронной
оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь
энергии электронов
Поверхность, 1986, V., N2, P.48-56

5 *,111,In, 11/20/92
Акилов В.Б., Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Тонкие пленки In на поверхности Si(111)
Поверхность, 1986, V., N6, P.54-60

35 *,O, 03/23/98
Зотов А.В., Каверина И.Г., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.,
Саранин А.А.
Взаимодействие слоев Si с SiO$_2$ при высокотемпературном
отжиге
Поверхность, 1986, V., N4, P.60-65

19 *,Cr,100, 06/28/93
Заводинский В.Г., Воронов А.В., Лифшиц В.Г.
Формирование тонких пленок CrSi$_2$ при напылении хрома на
нагретую подложку Si(100)
Поверхность, 1986, V., N7, P.63-69
== 1987 ==


144 *,Si, 12/17/98
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shengurov V.G., Zotov A.V.
Solid phase epitaxy of doped silicon films in molecular beam
epitaxy system
Phys.Stat.Sol.(a), 1987, V.103, N, P.467-473

11 *,N,O,100,double, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Исследование адсорбции закиси азота и кислорода на поверхности
Si(100)--$2\times1$ методами ЭОС и СХПЭЭ
Поверхность, 1987, V., N8, P.33-38

3 *,Cr,111, 11/20/92
Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И.
Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(111)-Cr
Поверхность, 1987, V., N12, P.50-58

20 *,Cr,100,Si,double, 06/28/93
Воронов А.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Диффузионный массоперенос Si на поверхности Si(100) в
присутсвии хрома
Поверхность, 1987, V., N8, P.78-83

== 1988 ==


1 *,B,111, 11/20/92
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zotov A.V.
Formation of Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B
and Si epitaxy on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B: LEED-AES study
Surf.Sci., 1988, V.195, N3, P.466-474

8 *,In,111, 11/20/92
Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Формирование поверхнстных фаз и их проявление в процессах
диффузии и десорбции в системе In-Si
Поверхность, 1988, V., N8, P.54-60

2 *,111,B, 11/20/92
Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.
Изучение методами электронной оже-спектроскопии и дифракции
медленных электронов эпитаксии Si на Si(111)$-\sqrt3\times
\sqrt3-$B
Поверхность, 1988, V., N8, P.77-83

== 1989 ==


147 *,Si, 12/17/98
Zotov A.V., Korobtsov V.V.
Present status of solid phase epitaxy of vacuum-deposited
silicon
J.Cryst.Growth, 1989, V.98, N, P.519-530

55 *,Sb,111,100,inter, 02/06/95
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Khramtsova E.A.
Formation of $\delta$-doped layers by solid-phase epitaxy of Si
on surface phases of Si--Sb
Sov.Tech.Phys.Lett., 1989, V.15, N12, P.952-953

204 *,Au,In,Cr,111, 01/18/99
Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L.
The role of surface phases in processes on silicon surfaces
Surf.Sci., 1989, V.222, N, P.21-30

193 ?V, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Кластерные модели рентгеновских и фотоэлектронных спектров
оксидов ванадия
Ж.Физ.Химии, 1989, V.63, N, P.120-127

194 ?,Ru, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Неэмпирические кластерные $X_\alpha$-DV модели электронного
строения простых оксидов рутения
Ж.Физ.Химии, 1989, V.63, N, P.128-134

114 *,Sb,111,100,inter, 12/10/98
Зотов А.В., Саранин А.А., Лифшиц В.Г., Храмцова Е.А.
Применение твердофазной эпитаксии Si на поверхностных фазах
Si--Sb для формирования $\delta$-легированных слоев
Письма в ЖТФ, 1989, V.15, N24, P.1-5

21 *,Cr,111, 06/28/93
Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лифшиц В.Г.,
Лобачев С.А.
Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные
стадии эпитаксии CrSi$_2$
Поверхность, 1989, V., N9, P.55-61

145 *,Sb, 12/17/98
Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.
Влияние сурьмы на кинетику твердофазной эпитаксии пленок
кремния, напыленных в вакууме
Поверхность, 1989, V., N10, P.94-99

== 1990 ==


53 *,N,111, 02/06/95
Lifshits V.G., Saranin A.A., Khramtsova E.A.,
Formation of the Si(111)--$(8\times8)$--N surface structure by
the interaction of the Si(111)--$(7\times7)$ with ammonia
Sov.Tech.Phys.Lett., 1990, V.16, N12, P.945-946

6 *,Sb,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Khramtsova E.A.
Solid phase epitaxial growth of Si on Si-Sb surface phases for
the formation of $\delta$-doped layers and
$\delta-i-\delta-i$-superlattices
Surf.Sci., 1990, V.230, N1-3, P.L147-L150

151 *,In,Cr,111, 12/17/98
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Churusov B.K., Galkin N.G., Plusnin N.I.
Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr
on Si(111)

Vacuum, 1990, V.41, N, P.1207-1210

192 ?, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л., Кривицкий В.П.
Резонансная эмиссия в $L_{\alpha,\beta}$ спектрах диоксидов
переходных 3$d$ металлов
Ж.Физ.Химии, 1990, V.64, N, P.1604-1610

191 ?, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Резонансная эмиссия в рентгеновских спектрах моноксидов
переходных 3$d$ металлов
Ж.Физ.Химии, 1990, V.64, N, P.2522-2529

38 *,N,H,111,double, 09/30/93
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Формирование поверхностной структуры Si(111)$8\times8-$N при
взаимодействии Si(111)$7\times7$ с аммиаком
Письма в ЖТФ, 1990, V.16, N24, P.51-54

37 N, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Котляр В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Поведение тонких слоев Si на Si$_3$N$_4$ при термическом
отжиге
Поверхность, 1990, V., N9, P.150-152

13 *,Au,In,111,double, 11/20/92
Бехтерева О.В., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Повеpхностные фазы в системе Si-Au-In
Поверхность, 1990, V., N10, P.32-35

146 *,Si, 12/17/98
Зотов А.В., Коробцов В.В.
Твердофазная эпитаксия пленок кремния, напыленных в вакууме
Поверхность, 1990, V., N12, P.5-16

9 *,In,111, 11/20/92
Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Гордиенко А.Ф.
Термодинамика субмонослойных покрытий на поверхности кремния
Поверхность, 1990, V., N6, P.80-86



== 1991 ==




52 *,Fe,111, 02/06/95
Gavriljuk Y.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G.
Thin films of iron on Si(111) and the $\sqrt3\times\sqrt3-R30$
structure
Sov.Tech.Phys.Lett., 1991, V.17, N8, P.593-595

12 *,Fe,111, 11/20/92
Gavriljuk Y.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G.
Thin iron films on Si(111) and formation of a
$(\sqrt3\times\sqrt3)R30$ structure
Surf.Sci., 1991, V.256, N, P.L589-L592

22 *,Al,N,111,double, 11/20/92
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Химические и структурные превращения в системе
Al/Si(111)$-(8\times8)$N
Письма в ЖТФ, 1991, V.17, N22, P.45-50



== 1992 ==




25 *,Sb,B,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G.
Si solid phase epitaxy on Si-Sb and Si-B surface phases
J.Cryst.Growth, 1992, V.121, N, P.88-92

54 *,Sb,100,inter, 02/06/95
Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryzhkov S.V.
Electrophysical properties of $\delta$-doped Si:Sb superlattices
Sov.Tech.Phys.Lett., 1992, V.18, N3, P.130-132

51 *,Sb,110, 02/06/95
Zotov A.V., Lifshits V.G., Demidchik A.N.
Ordered surface phases in the system Si(110)--Sb
Sov.Tech.Phys.Lett., 1992, V.18, N3, P.187-189

164 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical inversion of the dielectric matrix of a metallic
superlattice of varying charge density: the angular dependence
in the long-wave limit
Superlat. & Microstruct., 1992, V.11, N1, P.11-16

29 *,Au,In,111,double, 03/31/93
Bekhtereva O.V., Churusov B.K., Lifshits V.G.
Thin gold and indium films on Si(111) surface
Surf.Sci., 1992, V.273, N1-2, P.L449-L452

24 *,Sb,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G., Ditina Z.Z., Kalinin P.A.
Formation and electrical characterization of buried Si(111)-Sb
and Si(100)-Sb surface phases
Surf.Sci., 1992, V.273, N, P.L453-L456

26 *,Sb,110, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G., Demidchik A.N.
Ordered surface phases in Sb/Si(110) system
Surf.Sci., 1992, V.274, N3, P.L583-L587

27 *,Al,110, 11/20/92
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Kharchenko A.T.,
Ryzhkov S.V., Demidchik A.N.
Growth of extra-thin ordered aluminum films on Si(110) surfaces
Surf.Sci., 1992, V.277, N1-2, P.L77-L83

203 *,Sb, 01/15/99
Зотов А.В., Лифшиц В.Г., Рыжков С.В.
Электрофизические свойства дельта-легированных сверхрешеток
Si:Sb
Письма в ЖТФ, 1992, V.18, N5, P.4-8

23 *,Sb,110, 11/20/92
Зотов А.В., Лифшиц В.Г., Демидчик А.Н.
Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(110)-Sb
Письма в ЖТФ, 1992, V.18, N6, P.50-53

173 *,Cr,111, 12/25/98
Лобачев С.А., Плюснин Н.И.
Твердофазная эпитаксия силицидов при импульсном лазерном отжиге
сверхтонких пленок хрома на Si(111)
Поверхность, 1992, V., N5, P.59-62



== 1993 ==




189 ?, 01/12/99
Dobrodey N.V., Kondratenko A.V., Gutsev G.L., Krivitsky V.P.,
Nosatchov Yu.A.
Resonant emission in the X-ray spectra. I. Transition 3$d$
metal dioxides
Physica Scripta, 1993, V.47, N, P.289-295

190 ?, 01/12/99
Dobrodey N.V., Kondratenko A.V., Gutsev G.L.
Resonant emission in the X-ray spectra. II. Transition 3$d$
metal monoxides
Physica Scripta, 1993, V.47, N, P.296-301

205 *,In,111, 01/18/99
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Churusov B.K.
Electrophysical properties of surface phases of In on Si(111)
Solid State Commun., 1993, V.88, N1, P.51-55

56 *,Al,110, 02/06/95
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Kharchenko A.T.,
Ryzhkov S.V., Demidchik A.N.
Growth of ultrathin aluminum films on Si(110)
Sov.Tech.Phys.Lett., 1993, V.19, N6, P.360-362

28 *,N,H,111,double, 02/11/93
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Lifshits V.G.
Formation of the Si(111)$8\times8-$N structure by reaction of
NH$_3$ with a Si(111) surface
Surf.Sci., 1993, V.280, N1-2, P.L259-L262

152 *,Cr,111, 12/18/98
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Galkin N.G., Plusnin N.I.
Electron transport in the Si(111)-Cr($3\times3)/R30^\circ-%
\alpha$Si surface phase and in epitaxial films of CrSi,
CrSi$_2$ on Si(111)
Surf.Sci., 1993, V.292, N3, P.298-304

41 *,Al,N,111,double, 01/13/94
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Lifshits V.G.
Chemical and structural transformations in the
Al/Si(111)8$\times$8--N system
Surf.Sci., 1993, V.295, N3, P.319-324

40 *,B,Al,110,double, 11/03/93
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G.
Formation of ordered surface phases in submonolayer
B/Si(110) and (Al, B)/Si(110) systems
Surf.Sci., 1993, V.295, N1-2, P.L1005-L1010

39 *,N,H,Al,Ag,111,double, 01/13/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Effect of NH$_{3}$ adsorption on the atomic structure
of Si(111)3$\times$3-Al andSi(111)3$\times$3-Ag
surfaces
Surf.Sci., 1993, V.296, N2, P.L21-L27

45 *,Au,Ag,111,double, 01/20/94
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Enebish N.
Coadsorption of Au and Ag atoms on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1993, V.297, N, P.345-352

46 *,Ag,H,111,double, 01/20/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Agglomeration of submonolayer Ag films on Si(111) induced by
the interaction with atomic hydrogen
Surf.Sci., 1993, V.297, N, P.353-358

115 *,N,H,100,double, 12/10/98
Тарасова О.Л., Котляр В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.,
Лифшиц В.Г.
Электронно-стимулированная нитридизация Si(100) в атмосфере
аммиака
ЖТФ, 1993, V.63, N11, P.154-163

18 *,Al,110, 02/19/98
Зотов А.В., Храмцова Е.А., Лифшиц В.Г., Харченко А.Т.,
Рыжков С.В., Демидчик А.Н.
Рост сверхтонких пленок Al на поверхности Si(110)
Письма в ЖТФ, 1993, V.19, N12, P.14-17



== 1994 ==




50 *,Al,111, 02/19/98
Khramtsova E.A., Zotov A.V., Saranin A.A.,
Ryzhkov S.V., Chub A.B., Lifshits V.G.
Growth of extra-thin ordered aluminum films on Si(111)
surface
Appl.Surf.Sci., 1994, V.82-83, N1-4, P.576-582

187 ?, 01/12/99
Scheka O.L., Dobrodey N.V., Emelina T.B.
Quantum chemical study of catalysts based on oxides of
transition metals
Int.J.Quant.Chem., 1994, V.50, N, P.181-188

215 Ga,Bi,InSb, 01/18/99
Hayakawa Y., Ando M., Matsuyama T., Hamakawa E., Koyama T.,
Adachi S., Takahashi K., Lifshits V.G., Kumagawa M.
Diffusion of both Ga and Bi into InSb seeds during growth of
InGaSbBi
J.Appl.Phys., 1994, V.76, N, P.858-864

31 *,Rev, 11/28/94
Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V.
Surface Phases on Silicon
John Wiley & Sons, Chichester,, 1994, V., N, P.448-

64 *,Al,Sb,B,110,double, 04/05/96
Lifshits V.G., Zotov A.V., Ryzhkov S.V.
Surface reconstructions on Si(110) surface induced by
adsorption and coadsorption of Al, Sb and B.
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.4-5, N, P.133-142

206 *,Au,In,Ag,111,double, 01/18/99
Gavriljuk Y.L., Churusov B.K., Lifshits V.G., Enebish N.
Three-component surface phases in (Au,In)/Si(111) and
(Au,Ag)/Si(111) systems
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.4-5, N, P.157-166

42 *,Ag,Al,H,111,double, 12/28/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Interaction of atomic hidrogen with Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$
--Ag and Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--Al surfaces: LEED and AES
results
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.6, N, P.55-68

69 *,B,111, 05/05/96
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic states and tunnel current in the
W/Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$-B system: Local density cluster
calculations
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.6, N, P.93-100

165 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Surface energy loss function of semi-infinite spatially
dispersive solid
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.10663-10667

186 ?, 01/12/99
Borovskoi E.M., Kondratenko A.V., Dobrodey N.V., Anisimov V.I.
X-ray spectra of transition $nd$ metal oxides: Role of inner
atomic $ns-$, $np-$ states
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.14147-14152

166 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Bulk and surface dielectric response of a superlattice with
arbitrary varying dielectric function: A general analytical
solution in local theory in long-wave limit
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.17342-17350

167 *,C, 12/23/98
Nazarov V.U., Karpinskaya N.S.
Surface dielectric response of uniaxial crystals: Application
to graphite
Phys.Rev.B, 1994, V.50, N, P.11151-11155

176 *,O,?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Luniakov Yu.V.
Intensities of electric quadrupole transitions in the X-ray
spectra of transition 3d-metal oxides
Physica Scripta, 1994, V.50, N, P.19-24

142 *,Au,111, 12/17/98
Dobrodey N.V., Ziegelman L.L., Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nonempirical cluster study of the Au adsorption on the Si(111)
surface
Surf.Rev.Lett., 1994, V.1, N2-3, P.273-284

198 *,Al,Sb,100,110,double, 01/15/99
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Duchinsky V.G.
LEED-AES study of surface structures formed at coadsorption of
Al and Sb on (100), (111) and (110) Si surface
Surf.Rev.Lett., 1994, V.1, N2-3, P.285-293

44 *,Al,H,111,double, 01/20/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Interaction of the atomic hydrogen with
Si(111)$\sqrt3\times \sqrt3$-Al surface: LEED and AES results
Surf.Sci., 1994, V.302, N1-2, P.57-63

48 *,N,100, 06/16/94
Tarasova O.L., Kotlyar V.G., Saranin A.A.,
Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Electron-stimulated nitridation of Si(100) in pure
ammonia
Surf.Sci., 1994, V.310, N1-3, P.209-216

49 *,Al,111, 11/02/94
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Ryzhkov S.V.,
Saranin A.A., Chub A.B., Lifshits V.G.
LEED-AES reexamination of the Al/Si(111)
``$\gamma$-phase''
Surf.Sci., 1994, V.316, N1-2, P.L1034-L1038

43 *,Sb,100,inter, 11/24/94
Eisele I., Wittmann F., Lifshits V.G., Zotov A.V.,
Ditina Z.Z., Ryzhkov S.V.
Transport properties of delta-doped Si:Sb superlattices
Thin Solid Films, 1994, V.238, N1, P.27-30

188 Pt, 01/12/99
Щека О.Л., Кондриков Н.Б., Добродей Н.В., Вовна В.И.,
Емелина Т.Б.
Химический состав и электронное строение платины, окисленной
в условиях электросинтеза перкомпаунд-соединений
Ж.Физ.Химии, 1994, V.68, N, P.296-300

199 *,B,Al,110,double, 01/15/99
Зотов А.В., Рыжков С.В., Лифшиц В.Г.
Поверхностные структуры в субмонослойных системах B/Si(110) и
(Al,B)/Si(110)
Кристаллография, 1994, V.39, N3, P.526-529

200 *,Al,Sb,100, 01/15/99
Зотов А.В., Рыжков С.В., Лифшиц В.Г.
Формирование субмонослойных пленок (Al,Sb) на поверхности
Si(100)
Поверхность, 1994, V., N8-9, P.18-24

216 *,Au,Ag,111,double, 01/18/99
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Энебиш Н.
Субмонослойные пленки Au-Ag на поверхности Si(111)
Поверхность, 1994, V., N5, P.42-48

217 *,Fe, 01/18/99
Чеботкевич Л.А., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Яловкина С.В.
Состав и коэрцитивная сила многослойных пленок
(FeSi$_x$/Si)$_n$
ФММ, 1994, V.77, N3, P.50-54



== 1995 ==




60 *,Al,B,111,100,inter, 09/20/95
Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Eisele I., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G.
Electrical properties of surface phases on silicon capped by
amorphous Si layers
Appl.Phys.Lett., 1995, V.67, N5, P.611-613

197 *,Si, 01/13/99
Yamaguchi T., Kaneko Y., Jayatissa A.H., Aoyama M., Zotov A.V.,
Lifshits V.G.
Empirical dielectric function of amorphous materials for
spectroscopic ellipsometry
J.Appl.Phys., 1995, V.77, N9, P.4673-4676

62 *,Al,Sb,B,111,100,inter, 02/06/96
Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G., Eisele I.
Formation of buried a-Si/Al/Si, a-Si/Sb/Si and a-Si/B/Si
interfaces and their electrical properties
J.Cryst.Growth, 1995, V.157, N, P.344-348

66 *,Rev,double, 04/05/96
Gavriljuk Y.L., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Saranin A.A.,
Zotov A.V.
Coadsorption and three-component surface phases formation on
silicon surface.
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.10-11, N, P.303-316

65 *,In,H,111,double, 04/05/96
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.
Structural transformations in the Si(111)/In/H system.
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.10-11, N, P.397-406

68 *,Al,111, 05/05/96
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure and the tunnel current in Al/Si
nanoscale systems: local density cluster calculations
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.4-5, N, P.71-80

116 *,Al, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of aluminium-silicon quantum wires
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.7, N, P.89-94

177 *,O,?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Luniakov Yu.V.
Electric quadrupole transitions in the X-ray spectra: transition
3d-metal oxides
Phys.Rev.A, 1995, V.51, N6, P.1057-1062

169 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U., Luniakov Yu.V.
Indirect bulk plasmon generation by electrons reflected above
the solid surface
Phys.Rev.B, 1995, V.52, N16, P.12414-12418

143 *,Si, 12/17/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Influence of tip/sample interaction on scanning tunneling
spectroscopy data
Surf.Rev.Lett., 1995, V.2, N2, P.219-223

63 *,Cr,111, 04/05/96
Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Lobachev S.A.
Formation of interfaces and templates in the Si(111)-Cr
system
Surf.Rev.Lett., 1995, V.2, N4, P.439-449

57 *,Al,Sb,Si,111,100, 07/17/95
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G.
Stability of surface reconstructions on silicon during
RT deposition of Si submonolayers
Surf.Sci., 1995, V.328, N1-2, P.95-104

168 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical properties of dielectric response of semi-infinite
systems and the surface electron-energy loss function
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N, P.1157-1162

58 *,N,H,110,double, 12/13/95
Saranin A.A., Tarasova O.L., Kotlyar V.G.,
Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Thermal nitridation of the Si(110) by NH$_{3}$: LEED
and AES study
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N1, P.458-463

59 *,Al,Au,111,double, 02/23/96
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Chub A.B.,
Lifshits V.G.
Al and Au binary surface phases on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N1, P.594-599

117 *,Al, 12/10/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Влияние атомов легирующих примесей (P,B) на электронную
структуру наносистем Al-Si: кластерный подход
Микроэлектроника, 1995, V.24, N6, P.456-459

47 *,N,H,110,double, 03/09/94
Саранин А.А., Тарасова О.Л., Котляр В.Г., Храмцова Е.А.,
Лифшиц В.Г.
Термическая нитридизация Si(110) в атмосфере аммиака
Письма в ЖТФ, 1995, V.21, N4, P.11-20



== 1996 ==




195 *,B,Si,100, 01/13/99
Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I., Zotov A.V.
Epitaxial growth of ultrathin Si caps on Si(100):B surface
studied by scanning tunneling microscopy
Appl.Phys.Lett., 1996, V.69, N4, P.494-496

74 *,B,100, 01/21/97
Kulakov M.A., Zhang Z., Zotov A.V.,
Bullemer B., Eisele I.
Structure of the B/Si(100) surface at low
boron coverage studied by scanning tunneling
microscopy
Appl.Surf.Sci., 1996, V.103, N4, P.443-449

124 *,Al,O,Si,double, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Computer study of the electronic structure of the nanoscale
Al/SiO$_2$/Si system
Computat.Mater.Science, 1996, V.6, N, P.240-244

196 *,B,Si,100, 01/13/99
Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I., Zotov A.V.
B/Si(100) surface: Atomic structure and epitaxial Si
overgrowth
J.Vac.Sci.Technol.B, 1996, V.14, N4, P.2684-2689

123 *,Si,O, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale SiO$_2$ particles placed upon the crystalline silicon
Japan J.Appl.Phys., 1996, V.35, N, P.4285-4290

122 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G.
Cluster simulation of solid-state one-dimensional systems
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.121-128

121 *,O,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale Si-O rings as models of amorphous silica
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.61-68

67 *,In,Sb,111,double, 04/22/96
Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Azatyan S.G., Zotov A.V.,
Hayakawa Y., Kumagawa M.
LEED-AES study of submonolayer InSb/Si(111) interface
formation.
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.99-106

120 *,Ni,111,double, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Effects of the interface structure on the Schottky barrier
height in the NiSi$_2$/Si(111) system
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.4-5, N, P.57-64

227 *,Co,Ti,Mo, 01/21/99
Chebotkevich L.A., Vorobyev Yu.D., Ilyin E.V., Azatyan S.G.,
Pisarenko I.V., Slabzhennikova I.M., Kuznetsova S.V.
Influence of interlayers on structure formation and magnetic
parameters of multilayered Co-Ti/Mo and Co-Ti/Cu films
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.7-8, N, P.33-40

128 *,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale effects in electronic structure of the doped silicon
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.9-10, N, P.45-54

72 *,B,111,Si,double,inter, 08/27/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I.
Scanning tunneling microscopy study of a Si growth on a
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--B surface
Phys.Rev.B, 1996, V.53, N19, P.12902-12906

118 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G.
Effects of electrically active impurities on the bond energy in
silicon: \it{Ab initio} local energy cluster study
Phys.Rev.B, 1996, V.53, N, P.9521-9523

185 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Core-hole screening in chemisorption systems: Role of
metal-adsorbate $\pi\rightarrow\pi^*$ charge transfer
Phys.Rev.B, 1996, V.54, N, P.10405-10408

119 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Local density approximation study of p-Si/n-Si nanoscale
junctions
Superlat. & Microstruct., 1996, V.20, N2, P.187-192

125 *,O,Si,double, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of the crystalline silicon/n-fold
SiO$_2$ ring interface
Surf.Rev.Lett., 1996, V.3, N, P.1403-1407

61 *,B,111, 04/05/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Ryzhkov S.V., Saranin A.A.,
Lifshits V.G., Bullemer B., Eisele I.
Structural defects of the Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B surface
studied by scanning tunneling microscopy
Surf.Sci., 1996, V.345, N3, P.313-319

71 *,B,inter,111, 08/27/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G., Bullemer B., Eisele I.
Si overgrowth on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--B surface phase
Surf.Sci., 1996, V.352-354, N, P.358-363

75 *,Al,H,111,110,double, 02/27/97
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G.
Comparative study of the atomic hydrogen interaction
with Si(110)``4$\times$6''-Al and
Si(111)$\sqrt3$$\times$$\sqrt3$--Al surfaces
Surf.Sci., 1996, V.366, N3, P.501-507

73 *,Cr,111, 10/29/96
Galkin N.G., Velichko T.V., Skripka S.V.,
Khrustalev A.B.
Semiconducting and structural properties of
CrSi$_{2}$ A-type epitaxial films on Si(111)
Thin Solid Films, 1996, V.280, N1-2, P.211-220

126 *,Au, 12/15/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Кластерное моделирование системы золото (пленка) /кремний
(монокристалл)
Докл.АН, 1996, V.350, N2, P.184-186

148 *,111, 12/17/98
Коробцов В.В., Фидянин О.Н., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Влияние способа химической обработки на смачмваемость
поверхности Si(111)
ЖТФ, 1996, V.66, N12, P.134-137

153 *,Cr,111, 12/18/98
Галкин Н.Г., Величко Т.В., Скрипка С.В., Хрусталев А.Б.
Эпитаксиальные пленки CrSi$_2$ А-типа на Si(111): структура и
электрические свойства
Микроэлектроника, 1996, V.25, N3, P.216-220

127 *,Al, 12/15/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Влияние примесей в приграничном слое кремния на величину
барьера Шоттки в эпитаксиальной системе Al/\it{n}-Si
Поверхность, 1996, V., N11, P.51-55

214 *,Ag,In,111,double, 01/18/99
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Азатьян С.Г., Энебиш Н.
Процессы совместной адсорбции атомов Ag и In на поверхности
Si(111)
Поверхность, 1996, V., N10, P.6-15

70 *,Cr,111, 05/05/96
Плюснин Н.И., Миленин А.П.
Механизм атомного перемешивания при формировании границы
раздела переходного металла с кремнием.
Поверхность, 1996, V., N2, P.64-74

218 *,Fe, 01/19/99
Чеботкевич Л.А., Гаврилюк Ю.Л., Кузнецова С.В., Лифшиц В.Г.
Магнитные свойства модулированных Fe/Mo пленок
ФТТ, 1996, V.38, N1, P.313-316



== 1997 ==




77 *,In,H,111,double, 07/02/97
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Katayama M.,
Katayama I., Oura K.
STM observation of the atomic hydrogen adsorption
on the Si(111)4$\times$1-In surface
Appl.Surf.Sci., 1997, V.113-114, N1, P.354-359

78 *,In,H,111,double, 07/17/97
Saranin A.A., Khramtsova E.A.,
Ignatovich K.V., Lifshits V.G.
4$\times$1-Si substrate atoms reconstruction
in the Si(111)4$\times$1-In structure
Appl.Surf.Sci., 1997, V.113-114, N1, P.440-444

89 *,In,111, 04/13/98
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Katayama M., Oura K.
Structural transformations of the Si(111)2$\times$2-In surface
induced by STM tip and thermal annealing
Appl.Surf.Sci., 1997, V.121-122, N1, P.183-186

129 *,Au, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Schottky barrier formation in a Au/Si nanoscale system: A local
density approximation study
J.Appl.Phys., 1997, V.81, N6, P.2715-2719

130 *,Al,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of the nanoscale Al/SiO$_2$/Si system
J.Vac.Sci.Technol.B, 1997, V.15, N1, P.21-24

82 *,STM,In,111, 10/25/97
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M.,
Oura K.
Si(111)2$\times$2-In $\leftrightarrow$ Si(111)$\sqrt3$$\times$%
$\sqrt3$-In scanning tunneling microscope tip-induced
structural transformation
Japan J.Appl.Phys., 1997, V.36, N6B, P.3814-3817

14 *,Rev,In,Au,Cr,B,111,100, 04/24/97
Lifshits V.G., Gavriljuk Y.L., Zotov A.V., Tsukanov D.A.
Si Surface Phases: Formation, Role in Processes and Properties
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.1-2, N, P.131-138

10 *,In,111, 08/23/95
Saranin A.A., Zotov A.V., Numata T., Kubo O., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Atomic structure of the metastable Si(111)2$\times$2-In Surface
Phase
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.1-2, N, P.69-76

83 *,Cr,111, 12/23/97
Plusnin N.I., Milenin A.P., Velichko T.V., Soldatov V.U.
Schottky barrier in contacts of ($\sqrt3\times\sqrt3)%
R30^\circ$-Cr surface structures and CrSi$_2$(001) epitaxial
films with the Si(111) substrate
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.1-12

85 *,Al,111, 12/23/97
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Monolayers of Al on the Si(111) surface: Atomic and electronic
structure
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.123-130

84 *,Cr,111,Si,inter, 12/23/97
Plusnin N.I., Milenin A.P., Soldatov V.U., Lifshits V.G.
Formation of CrSi$_2$(0001)-${\alpha}$Si interface
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.63-74

80 *,Si,111, 10/03/97
Plusnin N.I.
Evolution of EELS and AES during formation of the
Si(111)7$\times$7/$a$-Si interface
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.8-9, N, P.51-61

107 *,In,111, 12/08/98
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Katayama M., Katayama I., Oura K.
Indium-induced Si(111)4$\times$1 substrate atom reconstruction
Phys.Rev.B, 1997, V.55, N8, P.5353-5359

81 *,In,111, 10/07/97
Saranin A.A., Zotov A.V., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
Structural model for the Si(111)-4$\times$1-In reconstruction
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N3, P.1017-1020

171 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Surface dielectric response: Exact solution in the
semi-classical infinite barrier model with diffuse scattering
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N4, P.2198-2207

76 *,STM,In,111, 03/13/98
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M.,
Lifshits V.G., Oura K.
STM tip-induced diffusion of In atoms on the
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--In surface
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N12, P.7449-7454

219 *, Ag,In,111,double 01/19/99
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Bekhtereva O.V., Azatyan S.G.,
Enebish N.
Coadsorption of Ag and In atoms on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1997, V.373, N2-3, P.173-180

184 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
On core-hole screening in chemisorption systems
Surf.Sci., 1997, V.377-379, N, P.623-628

220 *,Mn,111, 01/19/99
Shivaprasad S.M., Anandan C., Azatyan S.G., Gavriljuk Y.L.,
Lifshits V.G.
The formation of Mn/Si(111) interface at room and high
temperatures
Surf.Sci., 1997, V.382, N, P.258-265

79 *,In,111, 11/29/97
Saranin A.A., Zotov A.V., Numata T., Kubo O.,
Ignatovich K.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Structural transformations at room temperature
adsorption of In on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--In
surface: LEED--AES--STM study
Surf.Sci., 1997, V.388, N1-3, P.299-307

86 *,In,100, 04/13/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Si(100)4$\times$3-In surface phase: identification
of silicon substrate atom reconstruction
Surf.Sci., 1997, V.391, N1-3, P.L1188-L1193

87 Cr,111, 12/26/97
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V.
Optical and photospectral properties of CrSi$_{2}$
A-type epitaxial films on Si(111)
Thin Solid Films, 1997, V.311, N1-2, P.230-238

170 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
exact surface-plasmon dispersion relation for spatially
dispersive solid with an abrupt surface
Vacuum, 1997, V.48, N3-4, P.249-251

131 *,Al,111, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Influence of P, As and Ga doping on electronic structure of
Al/Si(111) interface
Vacuum, 1997, V.48, N, P.261-263

174 *,Si, 01/11/99
Плюснин Н.И.
Оже-эмиссия из поперечно-неоднородного приповерхностного слоя
Письма в ЖТФ, 1997, V.22, N19, P.79-83

175 *,Si, 01/11/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П.
Кинетический механизм формирования границы раздела
металл-полупроводник
Поверхность, 1997, V., N3, P.36-44

154 *,Cr, 12/18/98
Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М.
Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках
дисилицида хрома
Физика и техника полупр., 1997, V.31, N8, P.969-972



== 1998 ==




104 *,H,111, 12/04/98
Katayama M., Numata T., Kubo O., Tani H., Saranin A.A., Oura K.
STM observation of the atomic hydrogen interaction with the
Si(111)$\sqrt31\times\sqrt31$--In surface
Appl.Phys.A, 1998, V.66, N, P.S985-S988

94 *,In,H,111,double, 10/06/98
Katayama M., Numata T., Kubo O., Tani H., Saranin A.A.,
Zotov A.V., Oura K.
Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of the
In/Si(111) surface phases studied by scanning tunneling
microscopy
Appl.Surf.Sci., 1998, V.130-132, N1-4, P.765-770

95 *,In,111, 10/06/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
New structural model for the Si(111)4$\times$1-In reconstruction
Appl.Surf.Sci., 1998, V.130-132, N1-4, P.96-100

133 *,Al,Si,100, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Cluster simulation of Al and Si deposited layers on
Si(100)-2$\times$1 surface
Computat.Mater.Science, 1998, V.11, N, P.138-143

228 *,B,P,100, 02/04/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Computer study of boron and phosphorus at the Si(100)-2$\times$1
surface
Eur.Phys.J.B, 1998, V.6, N, P.273-276

91 *,B,Ge,111,100,inter,double, 05/29/98
Zotov A.V., Lifshits V.G., Rupp T., Eisele I.
Electrical properties of buried B/Si surface phases
J.Appl.Phys., 1998, V.83, N11, P.5865-5869

181 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Theoretical evidences for delocalized inequivalent core holes
J.Phys.Chem.A, 1998, V.102, N, P.9405-9409

101 *,In,Sb,H,111,100,double, 10/26/98
Katayama M., Ryu J.-T., Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V.,
Oura K.
Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of
metal/Si surface phases
J.Surf.Sci.Soc.Japan, 1998, V.19, N9, P.579-587

106 *,H,100, 12/07/98
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M.,
Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K.
Atomic hydrogen interaction with Si(100)4$\times$3--In surface
Japan J.Appl.Phys., 1998, V.37, N6B, P.3774-3777

232 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Maslov A.M.
Optical functions of chromium disilicide epitaxial films in the
0.35-6.2 eV energy range: the semiempirical simulation
Optics and Spectroscopy, 1998, V.85, N5, P.726-731

231 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V., Kaverina I.G.,
Gural'nik A.S.
Optical functions of chromium disilicide epitaxial films in the
energy range of 0.087-6.2 eV: calculation based on the
optical-spectroscopy data
Optics and Spectroscopy, 1998, V.95, N4, P.601-606

108 *,In,100,111, 03/01/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Recent development of STM for the determination of the
metal/silicon surface phase composition
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.11-12, N, P.65-84

92 *,Si,111, 07/03/98
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shaporenko A.P., Fidjanin O.N.,
Balashev V.V.
Recovery of Si(111) surface after Si growth interruption
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.3-4, N, P.175-182

93 *,B,111, 07/03/98
Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A.
Computer study of the B-Si exchange in the
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$-B surface phase
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.3-4, N, P.183-190

97 *,Au,Na,100, 10/06/98
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G.
Surface conductivity of ultra-thin Na and Au films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.1-6

96 *,Na,100, 10/06/98
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G.
Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.109-116

134 *,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Computer modeling of nanoscale silica particles
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.43-56

201 Na,100, 01/15/99
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G.
Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.7-16

102 *,B,P,100, 11/16/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Energetics of boron and phosphorus as substitutional dopants at
the Si(100)-2$\times$1 surface
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.9-10, N, P.127-132

178 C,O, 01/11/99
Dobrodey N.V., K\"{o}ppel H., Cederbaum L.S.
The vibrational structure of the O1s ionization spectrum of
CO$_2$: a thorough analysis
Phys.Rev.A, 1998, V.submit, N, P.-

90 *,In,100, 05/18/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Structural model for the Si(100)4$\times$3-In surface phase
Phys.Rev.B, 1998, V.57, N19, P.12492-12496

182 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Dynamical core-hole screening in weak chemisorption systems
Phys.Rev.B, 1998, V.57, N, P.7340-7351

180 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Partial localization of core holes in nonsymmetrical systems
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N, P.2316-2323

99 *,Na,111, 10/14/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Reexamination of the Si(111)3$\times$1-Na reconstruction on
the basis of Si atom density and unit cluster determination
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N7, P.3545-3548

109 *,Na,100, 12/08/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Tsukanov D., Lifshits V.G.,
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Si(100)2$\times$3--Na surface phase: Formation and atomic
arrangement
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N8, P.4972-4976

100 Na,111, 10/14/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G.,
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Scanning tunneling microscopy of the 7$\times$7-to-3$\times$1
transformation induced on the Si(111) surface by Na adsorption
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N11, P.7059-7063

110 -,Ca,111, 12/08/98
Saranin A.A., Lifshits V.G., Bethge H., Kayser R., Goldbach H.,
Klust A., Wollschl\"{a}ger J., Henzler M.
Restructuring process of the Si(111) surface upon Ca deposition
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-

112 -,In,111, 12/08/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Analysis of the surface structures through determination of
their composition using STM: Si(100)4$\times$3--In and
Si(111)4$\times$1--In reconstructions
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-

113 -,In,100, 12/08/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Reply to ``Comment on `Structural model for the Si(100)%
4$\times$3--In surface phase'"
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-

179 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Breakdown of the individual satellite picture and nonlocal
effects in core-hole spectra
Phys.Rev.Lett., 1998, V.submit, N, P.-

132 *,Al,111, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Schottky barrier at the Al/Si(111) doped and double-doped
interfaces: a local density cluster study
Superlat. & Microstruct., 1998, V.24, N1, P.55-60

88 *,In,111, q 05/21/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Numata T.,
Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
The role of Si atoms in In/Si(111) surface phase
formation
Surf.Sci., 1998, V.398, N1-2, P.60-69

183 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Strong dynamical screening in weak chemisorption systems
Surf.Sci., 1998, V.402-404, N, P.508-512

98 Mg,111, 10/12/98
Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V., Ryu J.-T., Tani H.,
Harada T., Katayama M., Lifshits V.G., Oura K.
Mg-induced Si(111)-(3$\times$2) reconstruction
studied by scanning tunneling microscopy
Surf.Sci., 1998, V.415, N1-2, P.L971-L975

224 -,Cr,Si,111, 01/20/99
Plusnin N.I., Soldatov V.U., Milenin A.P.
EELS-peak intensity dependence on primary electron energy for
the Si(111)7$\times$7 and Si(111)-Cr surface structures
Surf.Sci., 1998, V.submit, N, P.-

149 *,Si, 12/17/98
Коробцов В.В., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Влияние химической очистки поверхности кремния на
эпитаксиальный рост кремния
Микроэлектроника, 1998, V.27, N5, P.279-281

225 Cr,Si,111, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Величко Т.В., Солдатов В.Ю.
Исследование эпитаксиального контакта металл-полупроводник в
поверхностных структурах Si(111)-($\sqrt3\times\sqrt3$)%
R30$^\circ$-Cr и Si(111)-CrSi$_2$(001)
Микроэлектроника, 1998, V.27, N5, P.385-392

156 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Маслов А.М., Конченко А.В., Каверина И.Г.,
Гуральник А.С.
Оптические функции эпитаксиальных пленок дисилицида хрома в
диапазоне энергий 0.087-6.2 эВ: расчет по данным оптической
спектроскопии
Оптика и спектроскопия, 1998, V.85, N4, P.658-663

155 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Маслов А.М.
Оптические функции эпитаксиальных пленок дисилицида хрома в
диапазоне энергий 0.35-6.2 эВ: полуэмпирическое моделирование
Оптика и спектроскопия, 1998, V.85, N5, P.794-799

158 Cr, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Солдатов В.Ю., Лифшиц В.Г.
Механизм формирования границы раздела CrSi$_2$(0001)/$a$Si
Поверхность, 1998, V., N12, P.60-

226 -,B,111, 01/20/99
Коробцов В.В., Лифшиц В.Г., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Исследование методом дифракции быстрых электронов температурной
зависимости адсорбции бора при осаждении B$_2$O$_3$ на Si(111)
Поверхность, 1998, V.submit, N, P.-


== 1999 ==




233 *,P,100, 04/02/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Energetics of P-Si and P-P dimers on the Si(100)-2$\times$1
surface
Appl.Surf.Sci., 1999, V.141, N, P.193-196

230 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Ivanov V.A., Konchenko A.V., Goroshko D.L.
An ultrahigh-vacuum system for computer-integrated measurements
of the Hall effect and conductivity of two-dimensional films
Instrum. and Exper.Techniques, 1999, V.42, N2, P.127-132

111 *,Si, 03/19/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Atomic and electronic structures of nanometer sized silica
particles
J.Non-Cryst.Solids, 1999, V.243, N, P.123-136

229 *,P,?, 03/19/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Cluster modeling of the trimethilphosphine adsorption and
dissociation on the Si(111)-7$\times$7 surface
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.1-2, N, P.145-152

221 *,Cr, 04/05/99
Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Milenin A.P.
Surface phases and epitaxy of Si on CrSi$_2$(001)/Si(111)
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.1-2, N, P.55-66

234 *,Si,O,100, 06/02/99
Zavodinsky V.G.
Computer study of the ideal and real SiO$_2$/Si(100) interfaces
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.3-4, N, P.43-56

172 +,?, 12/25/98
Nazarov V.U.
Multipole surface plasmon excitation enhancement in metals
Phys.Rev.B, 1999, V.in press, N, P.-

202 *,B,111, 04/27/99
Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A.
Energetics of boron in the Si(111)-($\sqrt3\times\sqrt3$)--B
surface phase and in subsurface silicon layers
Surf.Rev.Lett., 1999, V.6, N1, P.127-132

235 *,Cr,111, 06/02/99
Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A.,
Gouralnik A.S.
$In situ$ Hall measurements of macroscopic electrical
properties of chromium-covered Si(111) surfaces
Surf.Rev.Lett., 1999, V.6, N1, P.7-12

105 *,111, 06/21/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Family of the metal-induced Si(111)3$\times$1 reconstructions
with a top Si atom density of 4/3 monolayer
Surf.Sci., 1999, V.426, N3, P.298-307

103 *,Ag,111, 06/21/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Ag-induced structural transformations on Si(111): Quantitative
investigation of Si mass transport
Surf.Sci., 1999, V.429, N1-2, P.127-132

160 +,Cr,111, 12/23/98
Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A.,
Gouralnik A.S.
In situ Hall measurements of macroscopic electrical properties
of chromium-covered Si(111) surfaces
Surf.Sci., 1999, V.in press, N, P.-

236 *,Rev,H, 11/09/99
Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katayama M.
Hydrogen interaction with clean and modified silicon surfaces
Surf.Sci.Repts., 1999, V.35, N1-2, P.1-74

157 +,Cr, 12/23/98
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V., Kaverina I.G.,
Gouralnik A.S.
Optical functions and electronic structure of chromium
disilicide epitaxial films
Thin Solid Films, 1999, V.in press, N, P.-

159 +,?, 12/23/98
Galkin N.G., Menshih A., Konchenko A.V., Ivanov V.A., Maslov A.M.,
Goroshko D.L., Kaverina I.G., Gouralnik A.S., Kosikov S.I.
Ultrahigh vacuum attachment for in situ Hall measurements at low
temperatures
Thin Solid Films, 1999, V.in press, N, P.-

222 +,Cr,Si,111,double, 01/20/99
Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Миленин А.П.
Эпитаксиально-стабилизированные поверхностные фазы и
гетероэпитаксия Si на CrSi$_2$(001)/Si(111)
Поверхность, 1999, V.в печати, N, P.-

223 +,Cr,111, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Солдатов В.Ю.
Эффекты дифракции и обратного рассеяния в зависимостях СХПЭЭ
Si(111) и поверхностных фаз хрома от энергии первичных
электронов
Поверхность, 1999, V.в печати, N, P.-

161 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Иванов В.А., Конченко А.В., Горошко Д.Л.
Установка для автоматизированных холловских измерений параметров
двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума
Приборы и техника эксперимента, 1999, V., N2, P.153-158



== 2000 ==