Общая информация.
Научно-Технологический Центр полупроводниковой микроэлектроники
Института Автоматики и Процессов Управления
был создан в 1974 году.
Руководителем НТЦ является Саранин Александр Александрович
д.ф.-м.н., профессор, зав. НТЦ;
Научно-технологический центр полупроводниковой микроэлектроники,
физико-технический факультет, ДВГУ
Россия, Владивосток 690041, ул. Радио, 5.
Телефон: (4232) 310439, факс: (4232) 310452, E-mail: saranin@iacp.dvo.ru
Сотрудники группы имеют большой опыт в проведении экспериментов
по росту различных материалов на кремнии методами твердофазной
и молекулярно- лучевой эпитаксий в условиях сверхвысокого вакуума.
Формирование поверхностных фаз благородных, полублагородных и
переходных металлов на кремнии является объектом исследований
группы на протяжении более 20 лет. В процессе исследований
группой был всесторонне изучен процесс эпитаксии тонких пленок
кремния на кремнии, включая вопросы кинетики, кристаллического
совершенства и получения высоколегированных слоев кремния с
резким концентрационным профилем примесей.
Обнаружен ряд
новых поверхностных фаз (в том числе и трехкомпонентных),
исследованы их электронная структура и электрические свойства,
проведены расчеты электронной структуры различных объемных и
двумерных материалов. Впервые проведено комплексное исследование
процессов адсорбции и соадсорбции различных элементов на
атомарно-чистой поверхности кремния с различными ориентациями
Si(100), (111) и (110), выявлены общие закономерности формирования
двух- и трехкомпонентных поверхностных фаз (ПФ) на кремнии.
Исследованы электрические транспортные свойства захороненных
ПФ различных металлов и определены условия их устойчивости к
заращиванию слоями аморфного и эпитаксиального кремния.
В 1994
году в издательстве John Wiley опубликована монография обзорного
характера "Surface phases on silicon". Разработана и изготовлена
сверхвысоковакуумная аппаратура для проведения экспериментов по
формированию поверхностных фаз и тонких эпитаксиальных пленок
силицидов и нитридов.
В 1996-1997 годах впервые получены данные
о фазовых переходах в системе In/Si под воздействием иглы СТМ и
результаты о индуцированном фасетировании поверхностными фазами
алюминия поверхности Si(113).
Созданы методы расчета и реализованы
вычислительные алгоритмы учета вклада динамической поляризуемости
остовов атомов, составляющих поверхностную фазу, для теоретических
расчетов спектров характеристических
потерь энергии электронами на монокристаллической подложке
методики температурных холловских, термоэлектрических,
спектральных оптических и фотоэлектрических измерений на пленочных
объектах, разработаны программы для расчета и моделирования оптических
свойств тонких пленок на поглощающих подложках в широком диапазоне длин
волн. Исследованы электрофизические, оптические и фотоэлектрические
свойства эпитаксиальных слоев дисилицида хрома на кремнии.
С использованием метода функционала электронной плотности изучена электронная структура следующих объектов:
- нанометровые частицы металла на кремнии,
- нанометровые системы "оксид кремния - кремний" и "металл-оксид кремния - кремний",
- кремниевые и металл-кремниевые квантовые проволоки,
С помощью кластерного моделирования (из первых принципов
и полуэмпирического) изучена геометрия и энергетика различных
систем на основе кремния.